›› 2008, Vol. 8 ›› Issue (2): 384-388.
姜海波 顾峰 李春忠
GU Feng LI Chun-zhong
摘要: 以硫酸溶液为电解质,采用两步电化学阳极氧化法制备了氧化铝有序多孔膜,孔径为20 nm,孔间距为50 nm左右,孔洞密度为4.5×1010个/cm2. 以此多孔膜为模板,脉冲电压电化学沉积制备金属Fe纳米线阵列,单根纳米线直径为20 nm,Rietveld拟合表明纳米线择优取向为Fe(110)晶面,择优取向因子为0.30. 磁滞回线结果表明,垂直于膜面的方向为易磁化方向,当磁场垂直于膜面时,矩形比高达0.914,矫顽力为1656 Oe.
中图分类号: