›› 2008, Vol. 8 ›› Issue (3): 589-594.
尹博文 杨艳 马兵 张伟刚
YIN Bo-wen YANG Yan MA Bing ZHANG Wei-gang
摘要: 采用等温等压化学气相沉积技术,分别以CH3SiCl3-H2和SiCl4-CH4-H2为气源,在沉积温度1100和1000℃、压力101 kPa条件下,制备了SiC薄膜. 利用SEM和XRD、显微拉曼光谱、EDAX元素分析、HRTEM等测试技术对沉积薄膜的结构和组成进行了表征. 结果表明,1100℃时,以CH3SiCl3-H2为气源沉积得到纯净的SiC薄膜,以b-SiC (111)面择优定向生长,由微米级的金字塔锥形结构组成,硅含量随着沉积温度降低而增加;以SiCl4-CH4-H2为气源沉积得到非晶态碳掺杂的SiC薄膜,碳含量随着沉积温度降低而增加. 此外,以CH3SiCl3-H2为气源沉积的SiC颗粒平均粒径均比以SiCl4-CH4-H2为气源的粒径大. 前者SiC薄膜的方块电阻在kW级以上,且随着沉积温度的下降急剧升高;后者1100℃时制备的薄膜的方块电阻在kW级以上,且随着沉积温度的降低而急剧下降,1000℃时降低到W级.