过程工程学报 ›› 2016, Vol. 16 ›› Issue (1): 176-180.DOI: 10.12034/j.issn.1009-606X.215279
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王雅静 李娟娟 肖林久 谢颖 魏蕾
WANG Ya-jing LI Juan-juan XIAO Lin-jiu XIE Ying, WEI Lei
摘要: 以水热法制备GdVO4:Sm3+上转换发光材料,表征了其形貌,考察了Sm3+掺杂量、焙烧温度及乙二胺四乙酸二钠(EDTA)掺杂量对材料上转换发光性能的影响. 结果表明,所制材料为四方晶系,在816 nm近红外光激发下,Sm3+掺杂量1.5%(mol)、焙烧温度800℃、EDTA:Sm3+(摩尔比)为1:1时,其上转换发光性能最好,发射峰位于565, 604, 647和706 nm处,分别归属于Sm3+的4G5/2→6HJ (量子数J=5/2, 7/2, 9/2, 11/2)电子跃迁,材料有可能用作LED灯荧光粉.
中图分类号: